| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 参数 | PDF资料 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| US6U37TR | Rohm Semiconductor | 6-SMD，扁平引线 | 3000 | MOSFET N-CH 30V 1.5A TUMT6 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：二极管（隔离式）... | |
| US5U3TR | Rohm Semiconductor | TUMT5 | 6000 | MOSFET N-CH 30V 1.5A TUMT5 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：二极管（隔离式）... | |
| US5U38TR | Rohm Semiconductor | TUMT5 | 6000 | MOSFET P-CH 20V 1.0A TUMT5 | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：二极管（隔离式）... | |
| US5U35TR | Rohm Semiconductor | TUMT5 | 5857 | MOSFET P-CH 45V 700MA TUMT5 | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：二极管（隔离式）... | |
| US5U30TR | Rohm Semiconductor | TUMT5 | MOSFET P-CH 20V 1A TUMT5 | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：二极管（隔离式）... | ||
| US5U2TR | Rohm Semiconductor | TUMT5 | MOSFET N-CH 30V 1.4A TUMT5 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：二极管（隔离式）... | ||
| US5U29TR | Rohm Semiconductor | TUMT5 | MOSFET P-CH 20V 1A TUMT5 | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：二极管（隔离式）... | ||
| US5U1TR | Rohm Semiconductor | TUMT5 | MOSFET N-CH 30V 1.5A TUMT5 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：二极管（隔离式）... | ||
| UPA621TT-E2-A | Renesas Electronics America | 6-WSOF | MOSFET N-CH 20V 6-WSOF | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | ||
| UPA621TT-E1-A | Renesas Electronics America | 6-WSOF | MOSFET N-CH 20V 6-WSOF | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | ||
| UPA2810T1L-E2-AY | Renesas Electronics America | 8-VDFN 裸露焊盘 | MOSFET P-CH 30V MINI 8-HVSON | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | ||
| UPA2810T1L-E1-AY | Renesas Electronics America | 8-VDFN 裸露焊盘 | MOSFET P-CH 30V MINI 8-HVSON | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | ||
| UPA2732UT1A-E1-AY | Renesas Electronics America | 8-VDFN 裸露焊盘 | 5400 | MOSFET LV 8HVSON | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| UPA2731UT1A-E1-AY | Renesas Electronics America | 8-VDFN 裸露焊盘 | MOSFET P-CH 30V 8-HVSON | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | ||
| UPA2719AGR-E2-AT | Renesas Electronics America | 8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽） | MOSFET P-CH 30V 8-SOIC | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | ||
| UPA2719AGR-E1-AT | Renesas Electronics America | 8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽） | 5000 | MOSFET LV 8SOP | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| UPA2716AGR-E2-AT | Renesas Electronics America | 8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽） | MOSFET P-CH 30V 8-SOIC | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | ||
| UPA2716AGR-E1-AT | Renesas Electronics America | 8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽） | MOSFET LV 8SOP | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | ||
| UPA2521T1H-T2-AT | Renesas Electronics America | 8-WSOF | MOSFET N-CH 30V VSOF | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | ||
| UPA2521T1H-T1-AT | Renesas Electronics America | 8-WSOF | MOSFET N-CH 30V VSOF | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
