| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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UPA2719AGR-E1-AT |
Renesas Electronics America | 8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽） | 5000 | 询价QQ： |
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| 简述：MOSFET LV 8SOP 参考包装数量：2500 参考包装形式：带卷 (TR) |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| UPA2719AGR-E2-AT | Renesas Electronics America | 8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽） | MOSFET P-CH 30V 8-SOIC | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| UPA2731UT1A-E1-AY | Renesas Electronics America | 8-VDFN 裸露焊盘 | MOSFET P-CH 30V 8-HVSON | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| UPA2732UT1A-E1-AY | Renesas Electronics America | 8-VDFN 裸露焊盘 | 5400 | MOSFET LV 8HVSON | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| UPA2716AGR-E2-AT | Renesas Electronics America | 8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽） | MOSFET P-CH 30V 8-SOIC | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| UPA2716AGR-E1-AT | Renesas Electronics America | 8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽） | MOSFET LV 8SOP | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| UPA2590T1H-T2-AT | Renesas Electronics America | 8-WSOF | MOSFET N/P-CH 30V 8VSOF | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... |
