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HTNFET-D

Honeywell Microelectronics & Precision Sensors 8-CDIP 裸露焊盘
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简述:MOSFET N-CHANNEL 55V 8-DIP
参考包装数量:1
参考包装形式:散装

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型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
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HTNFET-D参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):55V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):-
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):400 毫欧 @ 100mA,5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.4V @ 100µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):4.3nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):290pF @ 28V
功率 - 最大值:50W
安装类型:通孔

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