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HAT2116H-EL-E

Renesas Electronics America SC-100,SOT-669
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简述:MOSFET N-CH 30V 30A LFPAK
参考包装数量:2500
参考包装形式:带卷 (TR)

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型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
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HAT2116H-EL-E参数资料


FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):30A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):8.2 毫欧 @ 15A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):-
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):26nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1650pF @ 10V
功率 - 最大值:15W
安装类型:表面贴装

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