收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > HUF76439P3
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

HUF76439P3

Fairchild Semiconductor TO-220-3
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 60V 75A TO-220AB
参考包装数量:400
参考包装形式:管件

与HUF76439P3相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
HUF76439S3S Fairchild Semiconductor TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
HUF76439S3ST Fairchild Semiconductor TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB 1600+2400 MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
HUF76443P3 Fairchild Semiconductor TO-220-3 MOSFET N-CH 60V 75A TO-220AB FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
HUF76437S3ST Fairchild Semiconductor TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 60V 71A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
HUF76437S3S Fairchild Semiconductor TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 60V 71A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
HUF76432P3 Fairchild Semiconductor TO-220-3 MOSFET N-CH 60V 59A TO-220AB FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

HUF76439P3参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):60V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):75A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):12 毫欧 @ 75A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):84nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):2745pF @ 25V
功率 - 最大值:180W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别