| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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IPB230N06L3G |
Infineon Technologies | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | 询价QQ： |
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| 简述：MOSFET N-CH 60V 30A TO263-3 参考包装数量：1000 参考包装形式：带卷 (TR) |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| IPB25N06S3-25 | Infineon Technologies | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | MOSFET N-CH 55V 25A D2PAK | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| IPB25N06S3L-22 | Infineon Technologies | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | MOSFET N-CH 55V 25A D2PAK | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| IPB260N06N3G | Infineon Technologies | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | MOSFET N-CH 60V 27A TO263-3 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| IPB22N03S4L-15 | Infineon Technologies | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | MOSFET N-CH 30V 22A TO263-3 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| IPB200N25N3G | Infineon Technologies | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | MOSFET N-CH 250V 64A TO263-3 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| IPB200N15N3G | Infineon Technologies | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | 1000 | MOSFET N-CH 150V 50A TO263-3 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
