收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > IPB25N06S3L-22
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

IPB25N06S3L-22

Infineon Technologies TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 55V 25A D2PAK
参考包装数量:1000
参考包装形式:带卷 (TR)

与IPB25N06S3L-22相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
IPB260N06N3G Infineon Technologies TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 60V 27A TO263-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IPB26CN10NG Infineon Technologies TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 100V 35A TO263-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IPB26CNE8NG Infineon Technologies TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 85V 35A TO263-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IPB25N06S3-25 Infineon Technologies TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 55V 25A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IPB230N06L3G Infineon Technologies TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 60V 30A TO263-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IPB22N03S4L-15 Infineon Technologies TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 30V 22A TO263-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

IPB25N06S3L-22参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):55V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):25A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):21.3 毫欧 @ 17A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 20µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):47nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):2260pF @ 25V
功率 - 最大值:50W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别