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IPG20N06S2L-50

Infineon Technologies 8-PowerTDFN
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简述:MOSFET 2N-CH 55V 20A TDSON-8-4
参考包装数量:5000
参考包装形式:带卷 (TR)

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IPG20N06S2L-50参数资料

PDF资料下载:

FET 型:2 个 N 沟道(双)
FET 特点:逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):55V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:20A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:50 毫欧 @ 15A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大):2V @ 19µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:17nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:560pF @ 25V
功率 - 最大:51W
安装类型:表面贴装

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