| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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IPH-21-0001 |
Schurter Inc | 询价QQ： |
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| 简述：IL1 PULSE TRANSFORMER THT SPEZ 参考包装数量：50 参考包装形式： |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| IPI020N06N | Infineon Technologies | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA | MOSF N CH 60V 29A TO262-3 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| IPI023NE7N3G | Infineon Technologies | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA | 500 | MOSFET N-CH 75V 120A TO262-3 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
| IPI024N06N3G | Infineon Technologies | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA | MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| IPG20N06S2L-65 | Infineon Technologies | 8-PowerTDFN | MOSFET 2N-CH 55V 20A TDSON-8-4 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| IPG20N06S2L-50 | Infineon Technologies | 8-PowerTDFN | MOSFET 2N-CH 55V 20A TDSON-8-4 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| IPG20N06S2L-35 | Infineon Technologies | 8-PowerTDFN | MOSFET 2N-CH 55V 20A TDSON-8-4 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... |
