收藏本站

首页 > 半导体模块 > IGBT > IXBN75N170A
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

IXBN75N170A

IXYS SOT-227-4,miniBLOC
询价QQ:
简述:IC TRANS BIPO 1700V SOT-227
参考包装数量:10
参考包装形式:

与IXBN75N170A相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
IXBOD1-06 IXYS 径向 IC SGL DIODE BOD 0.9A 600V FP 电压 - 工作:- 电压 - 箝位:600V 技术:混合技术 功率(瓦特):- ...
IXBOD1-07 IXYS 径向 IC SGL DIODE BOD 0.9A 700V FP 电压 - 工作:- 电压 - 箝位:700V 技术:混合技术 功率(瓦特):- ...
IXBOD1-08 IXYS 径向 1792 IC SGL DIODE BOD 0.9A 800V FP 电压 - 工作:- 电压 - 箝位:800V 技术:混合技术 功率(瓦特):- ...
IXBN75N170 IXYS SOT-227-4,miniBLOC IGBT BIMOSFET 1700V 145A SOT227B IGBT 类型:- 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1700V ...
IXBN42N170A IXYS SOT-227-4,miniBLOC IC TRANS BIPO 1700V SOT-227 IGBT 类型:- 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1700V ...
IXBL64N250 IXYS MOSFET 2500V 46A ISOPLUS I5-PAK ...

IXBN75N170A参数资料

PDF资料下载:

IGBT 类型:-
配置:单一
电压 - 集电极发射极击穿(最大):1700V
Vge, Ic时的最大Vce(开):6V @ 15V,42A
电流 - 集电极 (Ic)(最大):75A
电流 - 集电极截止(最大):50µA
Vce 时的输入电容 (Cies):7.4nF @ 25V
功率 - 最大:625W
输入:标准
NTC 热敏电阻:无
安装类型:底座安装

最近更新

型号类别