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IXBN75N170

IXYS SOT-227-4,miniBLOC
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简述:IGBT BIMOSFET 1700V 145A SOT227B
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与IXBN75N170相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
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IXBN75N170参数资料

PDF资料下载:

IGBT 类型:-
配置:单一
电压 - 集电极发射极击穿(最大):1700V
Vge, Ic时的最大Vce(开):3.1V @ 15V,75A
电流 - 集电极 (Ic)(最大):145A
电流 - 集电极截止(最大):25µA
Vce 时的输入电容 (Cies):6.93nF @ 25V
功率 - 最大:625W
输入:标准
NTC 热敏电阻:无
安装类型:底座安装

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