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NDD04N50Z-1G

ON Semiconductor TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA 0+2100
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简述:MOSFET N-CH 500V 3A IPAK
参考包装数量:75
参考包装形式:管件

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型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
NDD04N50ZT4G ON Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 5000 MOSFET HV N-CH 500V 3A DPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
NDD04N60Z-1G ON Semiconductor TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA 1229 MOSFET N-CH 600V 4A IPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
NDD04N60ZT4G ON Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 600V 4.1A DPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
NDD03N60ZT4G ON Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 15000 MOSFET N-CH 600V DPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
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NDD03N50ZT4G ON Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 10000 MOSFET N-CH 500V 2.6A DPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

NDD04N50Z-1G参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):500V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):3A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):2.7 欧姆 @ 1.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 50µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):12nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):308pF @ 25V
功率 - 最大值:61W
安装类型:通孔

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