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NDD04N60Z-1G

ON Semiconductor TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA 1229
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简述:MOSFET N-CH 600V 4A IPAK
参考包装数量:75
参考包装形式:管件

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型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
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NDD04N60Z-1G参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):600V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):4.1A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):2 欧姆 @ 2A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 50µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):29nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):640pF @ 25V
功率 - 最大值:83W
安装类型:通孔

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