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首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > TPC6012(TE85L,F,M)
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TPC6012(TE85L,F,M)

Toshiba SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
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简述:MOSFET N-CH 20V 6A VS6
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

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型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
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TPC6101(TE85L,F) Toshiba SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 MOSFET P-CH SGL -20V -4.5A VS-6 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
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TPC6012(TE85L,F,M)参数资料

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FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):20V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):6A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):20 毫欧 @ 3A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.2V @ 200µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):9nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):630pF @ 10V
功率 - 最大值:-
安装类型:表面贴装

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