收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > TPC6102(TE12L)
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

TPC6102(TE12L)

Toshiba SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
询价QQ:
简述:MOSFET P-CH 30V 4.5A VS-6
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

与TPC6102(TE12L)相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
TPC6102(TE12L,F) Toshiba SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 MOSFET P-CH SGL -30V -4.5A VS-6 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
TPC6103(TE85L,F,M) Toshiba SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 MOSFET P-CH 12V 5.5A VS6 2-3T1A FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
TPC6104(TE85L,F,M) Toshiba SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 MOSFET P-CH 20V 4.5A VS6 2-3T1A FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
TPC6101(TE85L,F) Toshiba SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 MOSFET P-CH SGL -20V -4.5A VS-6 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
TPC6101(TE85L) Toshiba SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 MOSFET P-CH 20V 4.5A VS-6 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
TPC6012(TE85L,F,M) Toshiba SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 MOSFET N-CH 20V 6A VS6 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

TPC6102(TE12L)参数资料

PDF资料下载:
PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):4.5A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):60 毫欧 @ 2.2A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):11nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):500pF @ 10V
功率 - 最大值:-
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别