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TPC6109-H(TE85L,FM

Toshiba SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
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简述:MOSFET P-CH 30V 5A VS-6
参考包装数量:1
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与TPC6109-H(TE85L,FM相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
TPC6110(TE85L,F,M) Toshiba SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 MOSFET P-CH 30V 4.5A VS6 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
TPC6111(TE85L,F,M) Toshiba SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 2570 MOSFET P-CH -20V -5.5A VS-6 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
TPC6113(TE85L,F,M) Toshiba SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 MOSFET P-CH 20V 5A VS6 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
TPC6108(TE85L,F,M) Toshiba SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 MOSFET P-CH 30V 4.5A VS6 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
TPC6107(TE85L,F,M) Toshiba SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 MOSFET P-CH 20V 4.5A VS6 2-3T1A FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
TPC6105(TE85L,F,M) Toshiba SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 MOSFET P-CH 20V 2.7A VS-6 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

TPC6109-H(TE85L,FM参数资料

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FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):5A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):59 毫欧 @ 2.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.2V @ 200µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):12.3nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):490pf @ 10V
功率 - 最大值:-
安装类型:表面贴装

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