收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > TPC6113(TE85L,F,M)
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

TPC6113(TE85L,F,M)

Toshiba SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
询价QQ:
简述:MOSFET P-CH 20V 5A VS6
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

与TPC6113(TE85L,F,M)相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
TPC6201(TE85L) Toshiba SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 MOSFET N-CH 30V 2.5A VS-6 FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
TPC6201(TE85L,F) Toshiba SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 MOSFET N-CH DUAL 30V 2.5A VS-6 FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
TPC6501(TE85L,F,M) Toshiba SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 TRANS NPN 10V 2A VS6 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大):2A 电压 - 集电极发...
TPC6111(TE85L,F,M) Toshiba SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 2570 MOSFET P-CH -20V -5.5A VS-6 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
TPC6110(TE85L,F,M) Toshiba SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 MOSFET P-CH 30V 4.5A VS6 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
TPC6109-H(TE85L,FM Toshiba SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 MOSFET P-CH 30V 5A VS-6 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

TPC6113(TE85L,F,M)参数资料

PDF资料下载:
PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):20V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):5A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):55 毫欧 @ 2.5A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.2V @ 200µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):10nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):690pF @ 10V
功率 - 最大值:-
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别