| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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TPS1100DR |
Texas Instruments | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 0+32500 | 询价QQ： |
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| 简述：MOSFET P-CH 15V 1.6A 8-SOIC 参考包装数量：2500 参考包装形式：带卷 (TR) |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| TPS1100DRG4 | Texas Instruments | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 0+32500 | MOSFET P-CH 15V 1.6A 8-SOIC | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| TPS1100PW | Texas Instruments | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） | 0+4500 | MOSFET P-CH 15V 1.27A 8-TSSOP | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| TPS1100PWG4 | Texas Instruments | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） | 0+4500 | MOSFET P-CH 15V 1.27A 8-TSSOP | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| TPS1100DG4 | Texas Instruments | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 0+14025 | MOSFET P-CH 15V 1.6A 8-SOIC | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| TPS1100D | Texas Instruments | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 367 | MOSFET P-CH 15V 1.6A 8-SOIC | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| TPS-10L | Cooper Bussmann | 径向弯曲圆柱 | FUSE TELPOWER 10A 170VDC | 保险丝类型：慢速熔断，时滞型 电压 - 额定：170VDC 电流：10A... |
