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TPS1100D

Texas Instruments 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 367
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简述:MOSFET P-CH 15V 1.6A 8-SOIC
参考包装数量:75
参考包装形式:管件

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型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
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TPS1100D参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):15V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):1.6A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):180 毫欧 @ 1.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):5.45nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):-
功率 - 最大值:791mW
安装类型:表面贴装

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