收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > US5U1TR
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

US5U1TR

Rohm Semiconductor TUMT5
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 30V 1.5A TUMT5
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

与US5U1TR相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
US5U29TR Rohm Semiconductor TUMT5 MOSFET P-CH 20V 1A TUMT5 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:二极管(隔离式)...
US5U2TR Rohm Semiconductor TUMT5 MOSFET N-CH 30V 1.4A TUMT5 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:二极管(隔离式)...
US5U30TR Rohm Semiconductor TUMT5 MOSFET P-CH 20V 1A TUMT5 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:二极管(隔离式)...
US5K3TR Rohm Semiconductor TUMT5 MOSFET 2N-CH 30V 1.5A TUMT5 FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:标准 漏极至源极电压(Vdss...
US5881LUA-AAA-000-BU Melexis Technologies NV TO-226-3,TO-92-3 短体 519 IC HALL EFFECT SW MP TO-92UA 传感范围:30mT 跳闸,9.5mT 释放 类型:单极开关 电源电压:3.5 V...
US5881LSO Melexis Technologies NV TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 IC HALL EFFECT SW SOT-23 传感范围:30mT 跳闸,9.5mT 释放 类型:单极开关 电源电压:3.5 V...

US5U1TR参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:二极管(隔离式)
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):1.5A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):240 毫欧 @ 1.5A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):2.2nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):80pF @ 10V
功率 - 最大值:700mW
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别