| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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US6M11TR |
Rohm Semiconductor | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | 询价QQ： |
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| 简述：MOSFET N/P-CH 20V 1.5A TUMT6 参考包装数量：3000 参考包装形式：带卷 (TR) |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| US6M1TR | Rohm Semiconductor | 6-SMD，扁平引线 | 60428 | MOSFET N+P 30,20V 1A TUMT6 | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... |
| US6M2TR | Rohm Semiconductor | 6-SMD，扁平引线 | 18000 | MOSFET N+P 20V 1.5A/1A TUMT6 | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss)：3... |
| US6T4TR | Rohm Semiconductor | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | TRANS PNP 12V 3A TUMT6 | 晶体管类型：PNP 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：3A 电压 - 集电极发... | |
| US6K4TR | Rohm Semiconductor | 6-SMD，扁平引线 | 15000 | MOSFET N-CH DUAL 20V 1.5A TUMT6 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... |
| US6K2TR | Rohm Semiconductor | 6-SMD，扁平引线 | 6000 | MOSFET 2N-CH 30V 1.4A TUMT6 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... |
| US6K1TR | Rohm Semiconductor | 6-SMD，扁平引线 | 24000 | MOSFET 2N-CH 30V 1.5A TUMT6 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... |
