收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > 晶体管(BJT) - 单路 > US6T4TR
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

US6T4TR

Rohm Semiconductor 6-TSSOP,SC-88,SOT-363
询价QQ:
简述:TRANS PNP 12V 3A TUMT6
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

与US6T4TR相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
US6T5TR Rohm Semiconductor 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 TRANS PNP 30V 2A BIPO TUMT6 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极 (Ic)(最大):2A 电压 - 集电极发...
US6T6TR Rohm Semiconductor 6-SMD,扁平引线 TRANS PNP BIPOLAR 30V 2A TUMT6 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极 (Ic)(最大):2A 电压 - 集电极发...
US6T7TR Rohm Semiconductor 6-SMD,扁平引线 TRANS PNP BIPOLAR 30V 1.5A TUMT6 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极 (Ic)(最大):1.5A 电压 - 集电...
US6M2TR Rohm Semiconductor 6-SMD,扁平引线 18000 MOSFET N+P 20V 1.5A/1A TUMT6 FET 型:N 和 P 沟道 FET 特点:标准 漏极至源极电压(Vdss):3...
US6M1TR Rohm Semiconductor 6-SMD,扁平引线 60428 MOSFET N+P 30,20V 1A TUMT6 FET 型:N 和 P 沟道 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss...
US6M11TR Rohm Semiconductor 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 MOSFET N/P-CH 20V 1.5A TUMT6 FET 型:N 和 P 沟道 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss...

US6T4TR参数资料

PDF资料下载:

晶体管类型:PNP
电流 - 集电极 (Ic)(最大):3A
电压 - 集电极发射极击穿(最大):12V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):250mV @ 30mA,1.5A
电流 - 集电极截止(最大):-
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):270 @ 500mA,2V
功率 - 最大:1W
频率 - 转换:280MHz
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别