收藏本站

首页 > 分离式半导体产品 > FET - 阵列 > ZXMHC10A07T8TA
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

ZXMHC10A07T8TA

Diodes Inc SOT-223-8 2000
询价QQ:
简述:MOSFET H-BRIDGE N/P-CH 100V SM8
参考包装数量:1000
参考包装形式:带卷 (TR)

与ZXMHC10A07T8TA相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
ZXMHC3A01N8TC Diodes Inc 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET H-BRIDGE COMPL 8-SOIC FET 型:2 个 N?通道和 2 个 P 通道(H 桥) FET 特点:逻辑电...
ZXMHC3A01T8TA Diodes Inc SOT-223-8 113567 MOSFET H-BRIDGE DUAL SOT223-8 FET 型:2 个 N?通道和 2 个 P 通道(H 桥) FET 特点:逻辑电...
ZXMHC3F381N8TC Diodes Inc 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 15000 MOSFET COMPL H-BRIDGE 30V 8-SOIC FET 型:2 个 N?通道和 2 个 P 通道(H 桥) FET 特点:逻辑电...
ZXMHC10A07N8TC Diodes Inc 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 2500 MOSFET H-BRIDGE COMPL 8-SOIC FET 型:2 个 N?通道和 2 个 P 通道(H 桥) FET 特点:标准 ...
ZXMD65P03N8TA Diodes Inc 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET 2P-CH 30V 4.8MA 8-SOIC FET 型:2 个 P 沟道(双) FET 特点:标准 漏极至源极电压(Vdss...
ZXMD65P02N8TC Diodes Inc 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET DUAL P-CHAN 20V 8SOIC FET 型:2 个 P 沟道(双) FET 特点:标准 漏极至源极电压(Vdss...

ZXMHC10A07T8TA参数资料

PDF资料下载:

FET 型:2 个 N?通道和 2 个 P 通道(H 桥)
FET 特点:标准
漏极至源极电压(Vdss):100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:1A,800mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:700 毫欧 @ 1.5A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:2.9nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:138pF @ 60V
功率 - 最大:1.3W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别