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ZXMHC3A01T8TA

Diodes Inc SOT-223-8 113567
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简述:MOSFET H-BRIDGE DUAL SOT223-8
参考包装数量:1
参考包装形式:剪切带 (CT)

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型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
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ZXMHC3A01T8TA参数资料

PDF资料下载:

FET 型:2 个 N?通道和 2 个 P 通道(H 桥)
FET 特点:逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:2.7A,2A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:120 毫欧 @ 2.5A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大):3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:3.9nC @ 15V
输入电容 (Ciss) @ Vds:190pF @ 25V
功率 - 最大:1.3W
安装类型:表面贴装

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