| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 参数 | PDF资料 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| HAT2160N-EL-E | Renesas Electronics America | 8-PowerSOIC（0.156"，3.95mm） | MOSFET N-CH 20V 60A LFPAKI | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | ||
| HAT2164H | Renesas Electronics America | SC-100，SOT-669 | MOSFET N-CH 30V 60A LFPAK | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | ||
| HAT2164H-EL-E | Renesas Electronics America | SC-100，SOT-669 | MOSFET N-CH 30V 60A 5LFPAK | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | ||
| HAT2165H | Renesas Electronics America | SC-100，SOT-669 | MOSFET N-CH 30V 55A LFPAK | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | ||
| HAT2165H-EL-E | Renesas Electronics America | SC-100，SOT-669 | MOSFET N-CH 30V 55A LFPAK | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | ||
| HAT2165N | Renesas Electronics America | 8-PowerSOIC（0.156"，3.95mm） | MOSFET N-CH 30V 55A LFPAKI | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | ||
| HAT2165N-EL-E | Renesas Electronics America | 8-PowerSOIC（0.156"，3.95mm） | MOSFET N-CH 30V 55A LFPAKI | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | ||
| HAT2166H | Renesas Electronics America | SC-100，SOT-669 | MOSFET N-CH 30V 45A LFPAK | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | ||
| HAT2166H-EL-E | Renesas Electronics America | SC-100，SOT-669 | MOSFET N-CH 30V 45A LFPAK | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | ||
| HAT2167H | Renesas Electronics America | SC-100，SOT-669 | MOSFET N-CH 30V 40A LFPAK | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | ||
| HAT2167H-EL-E | Renesas Electronics America | SC-100，SOT-669 | MOSFET N-CH 30V 40A LFPAK | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | ||
| HAT2168H-EL-E | Renesas Electronics America | SC-100，SOT-669 | MOSFET N-CH 30V 30A 5LFPAK | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | ||
| HAT2168N-EL-E | Renesas Electronics America | 8-PowerSOIC（0.156"，3.95mm） | MOSFET N-CH 30V 30A LFPAKI | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | ||
| HAT2169H | Renesas Electronics America | SC-100，SOT-669 | MOSFET N-CH 40V 50A 5FLPAK | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | ||
| HAT2169H-EL-E | Renesas Electronics America | SC-100，SOT-669 | MOSFET N-CH 40V 50A LFPAK | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | ||
| HAT2170H | Renesas Electronics America | SC-100，SOT-669 | MOSFET N-CH 40V 45A 5LFPAK | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | ||
| HAT2170H-EL-E | Renesas Electronics America | SC-100，SOT-669 | MOSFET N-CH 40V 45A LFPAK | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | ||
| HAT2171H | Renesas Electronics America | SC-100，SOT-669 | MOSFET N-CH 40V 40A 5LFPAK | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | ||
| HAT2171H-EL-E | Renesas Electronics America | SC-100，SOT-669 | MOSFET N-CH 40V 40A 5LFPAK | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | ||
| HAT2172H-EL-E | Renesas Electronics America | SC-100，SOT-669 | MOSFET N-CH 40V 30A LFPAK | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
