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首页 > 元器件分类 > 分离式半导体产品 > FET - 单 I开头
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型号 品牌 封装 数量 描述 参数 PDF资料
IPB65R310CFD Infineon Technologies TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB 1000 MOSFET N-CH 650V 11.4A TO263 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IPB65R380C6 Infineon Technologies TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB 2000 MOSFET N-CH 650V 10.6A TO263 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IPB65R420CFD Infineon Technologies TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB 2000 MOSFET N-CH 650V 8.7A TO263 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IPB65R600C6 Infineon Technologies TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB 1000 MOSFET N-CH 650V 7.3A TO263 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IPB65R660CFD Infineon Technologies TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB 1000 MOSFET N-CH 650V 6.0A TO263 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IPB70N04S3-07 Infineon Technologies TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB 2652 MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IPB70N04S4-06 Infineon Technologies TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 40V 70A TO263-3-2 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IPB70N10S3-12 Infineon Technologies TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB 2000 MOSFET N-CH 100V 70A TO263-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IPB70N10S3L-12 Infineon Technologies TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 100V 70A TO263-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IPB70N10SL-16 Infineon Technologies TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 100V 70A TO263-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IPB77N06S2-12 Infineon Technologies TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 55V 77A TO263-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IPB77N06S3-09 Infineon Technologies TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 55V 77A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IPB79CN10NG Infineon Technologies TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 100V 13A TO263-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IPB80N03S4L-02 Infineon Technologies TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 30V 80A TO263-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IPB80N03S4L-03 Infineon Technologies TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB 1000 MOSFET N-CH 30V 80A TO263-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IPB80N04S2-04 Infineon Technologies TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IPB80N04S2-H4 Infineon Technologies TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IPB80N04S2L-03 Infineon Technologies TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IPB80N04S3-03 Infineon Technologies TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB 1000 MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IPB80N04S3-04 Infineon Technologies TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

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