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首页 > 元器件分类 > 分离式半导体产品 > FET - 单 I开头
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型号 品牌 封装 数量 描述 参数 PDF资料
IPB80N04S3-06 Infineon Technologies TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB 4000 MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IPB80N04S3-H4 Infineon Technologies TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IPB80N04S4-03 Infineon Technologies TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3-2 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IPB80N04S4-04 Infineon Technologies TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3-2 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IPB80N04S4L-04 Infineon Technologies TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3-2 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IPB80N06S2-05 Infineon Technologies TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IPB80N06S2-07 Infineon Technologies TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IPB80N06S2-08 Infineon Technologies TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IPB80N06S2-09 Infineon Technologies TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IPB80N06S2-H5 Infineon Technologies TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IPB80N06S2L-05 Infineon Technologies TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IPB80N06S2L-06 Infineon Technologies TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IPB80N06S2L-07 Infineon Technologies TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IPB80N06S2L-09 Infineon Technologies TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IPB80N06S2L-11 Infineon Technologies TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IPB80N06S2L-H5 Infineon Technologies TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IPB80N06S3-05 Infineon Technologies TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IPB80N06S3-07 Infineon Technologies TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IPB80N06S3L-05 Infineon Technologies TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 55V 80A TO-263 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IPB80N06S3L-06 Infineon Technologies TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 55V 80A TO-263 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

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