| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 参数 | PDF资料 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IPD50R280CE | Infineon Technologies | 5000 | MOSFET N-CH 500V 13A PG-TO252 | ... | ||
| IPD50R380CE | Infineon Technologies | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | MOSFET N CH 500V 9.9A PG-TO252 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | ||
| IPD50R399CP | Infineon Technologies | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | MOSFET N-CH 550V 9A TO-252 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | ||
| IPD50R500CE | Infineon Technologies | 7500 | MOSFET N-CH 500V 7.6A PG-TO252 | ... | ||
| IPD50R520CP | Infineon Technologies | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | MOSFET N-CH 550V 7.1A TO-252 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | ||
| IPD50R650CE | Infineon Technologies | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | MOSFET N CH 500V 6.1A PG-TO252 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | ||
| IPD50R800CE | Infineon Technologies | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | 2500 | MOSFET N CH 500V 5A TO252 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| IPD50R950CE | Infineon Technologies | 7500 | MOSFET N-CH 500V 4.3A PG-TO252 | ... | ||
| IPD530N15N3G | Infineon Technologies | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | 2500 | MOSFET N-CH 150V 21A TO252-3 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| IPD5N03LAG | Infineon Technologies | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3-11 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | ||
| IPD600N25N3G | Infineon Technologies | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | 11297 | MOSFET N-CH 250V 25A TO252-3 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| IPD60R1K4C6 | Infineon Technologies | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | 9564 | MOSFET N-CH 600V 3.2A TO252-3 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| IPD60R2K0C6 | Infineon Technologies | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | 9380 | MOSFET N-CH 600V 2.4A TO252-3 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| IPD60R380C6 | Infineon Technologies | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | 2500 | MOSFET N-CH 600V 10.6A TO252 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| IPD60R385CP | Infineon Technologies | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | MOSFET N-CH 650V 9A TO-252 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | ||
| IPD60R3K3C6 | Infineon Technologies | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | 2500 | MOSFET N-CH 600V 1.7A TO252-3 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| IPD60R450E6 | Infineon Technologies | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | 2500 | MOSFET N-CH 600V 9.2A TO252 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| IPD60R520C6 | Infineon Technologies | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | 2500 | MOSFET N-CH 600V 8.1A TO252 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| IPD60R520CP | Infineon Technologies | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | 5000 | MOSFET N-CH 650V 6.8A TO-252 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| IPD60R600C6 | Infineon Technologies | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | 12500 | MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
