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首页 > 元器件分类 > 分离式半导体产品 > FET - 单 R开头
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型号 品牌 封装 数量 描述 参数 PDF资料
RJK0366DPA-00#J0 Renesas Electronics America 8-WDFN 裸露焊盘 2500 MOSFET N-CH 30V 25A WPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
RJK0366DSP-00#J0 Renesas Electronics America 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOP FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
RJK0368DPA-00#J0 Renesas Electronics America 8-WDFN 裸露焊盘 2500 MOSFET N-CH 30V 20A WPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
RJK0369DSP-00#J0 Renesas Electronics America 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOP FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
RJK0371DSP-00#J0 Renesas Electronics America 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH 30V 8A 8-SOP FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
RJK0390DPA-00#J53 Renesas Electronics America 8-WDFN 裸露焊盘 3000 MOSFET N-CH 30V 65A W-PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
RJK0391DPA-00#J53 Renesas Electronics America 8-WDFN 裸露焊盘 3000 MOSFET N-CH 30V 50A W-PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
RJK0392DPA-00#J53 Renesas Electronics America 8-WDFN 裸露焊盘 12000 MOSFET N-CH 30V 45A W-PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
RJK0392DPA-00#J5A Renesas Electronics America 8-WDFN 裸露焊盘 3000 MOSFET N-CH 30V 45A 2WPACK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
RJK0393DPA-00#J53 Renesas Electronics America 8-WDFN 裸露焊盘 3000 MOSFET N-CH 30V 40A W-PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
RJK0393DPA-00#J5A Renesas Electronics America 8-WDFN 裸露焊盘 6000 MOSFET N-CH 30V 40A 2WPACK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
RJK0394DPA-00#J53 Renesas Electronics America 8-WDFN 裸露焊盘 11514 MOSFET N-CH 30V 35A W-PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
RJK0394DPA-00#J5A Renesas Electronics America 8-WDFN 裸露焊盘 3000 MOSFET N-CH 30V 35A 2WPACK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
RJK0395DPA-00#J53 Renesas Electronics America 8-WDFN 裸露焊盘 3967 MOSFET N-CH 30V 30A W-PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
RJK0396DPA-00#J53 Renesas Electronics America 8-WDFN 裸露焊盘 6000 MOSFET N-CH 30V 30A W-PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
RJK0397DPA-00#J53 Renesas Electronics America 8-WDFN 裸露焊盘 3000 MOSFET N-CH 30V 30A W-PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
RJK03B7DPA-00#J53 Renesas Electronics America 8-WDFN 裸露焊盘 6000 MOSFET N-CH 30V 30A W-PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
RJK03B7DPA-00#J5A Renesas Electronics America 8-WDFN 裸露焊盘 6000 MOSFET N-CH 30V 30A W-PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
RJK03B8DPA-00#J53 Renesas Electronics America 8-WDFN 裸露焊盘 MOSFET N-CH 30V 30A W-PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
RJK03B8DPA-00#J5A Renesas Electronics America 8-WDFN 裸露焊盘 MOSFET N-CH 30V 30A 2WPACK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

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