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首页 > 元器件分类 > 半导体模块 > IGBT M开头
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型号 品牌 封装 数量 描述 参数 PDF资料
MII200-12A4 IXYS Y3-DCB MOD IGBT RBSOA 1200V 270A Y3-DCB IGBT 类型:NPT 配置:半桥 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1200...
MII300-12A4 IXYS Y3-DCB MOD IGBT RBSOA 1200V 330A Y3-DCB IGBT 类型:NPT 配置:半桥 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1200...
MII300-12E4 IXYS Y3-Li MOD IGBT NPT PHASE LEG Y3-LI IGBT 类型:NPT 配置:半桥 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1200...
MII400-12E4 IXYS Y3-Li IGBT 1.2KV 420A MODULE IGBT 类型:NPT 配置:半桥 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1200...
MII75-12A3 IXYS Y4-M5 MOD IGBT RBSOA 1200V 90A Y4-M5 IGBT 类型:NPT 配置:半桥 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1200...
MIO1200-25E10 IXYS E10 MOD IGBT SGL SWITCH 2500V E10 IGBT 类型:NPT 配置:单开关 电压 - 集电极发射极击穿(最大):250...
MIO1200-33E10 IXYS E10 MOD IGBT SGL SWITCH 3300V E10 IGBT 类型:NPT 配置:单开关 电压 - 集电极发射极击穿(最大):330...
MIO1200-33E11 IXYS E11 IGBT MODULE SGL 1200A E11 IGBT 类型:NPT 配置:单开关 电压 - 集电极发射极击穿(最大):330...
MIO1500-25E10 IXYS E10 IGBT MODULE SGL 1500A E10 IGBT 类型:NPT 配置:单开关 电压 - 集电极发射极击穿(最大):250...
MIO1800-17E10 IXYS E10 MOD IGBT SGL SWITCH 1700V E10 IGBT 类型:NPT 配置:单开关 电压 - 集电极发射极击穿(最大):170...
MIO2400-17E10 IXYS E10 MOD IGBT SGL SWITCH 1700V E10 IGBT 类型:NPT 配置:单开关 电压 - 集电极发射极击穿(最大):170...
MIO600-65E11 IXYS E11 IGBT MODULE SGL 600A E11 IGBT 类型:NPT 配置:单开关 电压 - 集电极发射极击穿(最大):650...
MIO600-65E11 IXYS E11 MOD IGBT SGL SWITCH 6500V E11 IGBT 类型:NPT 配置:单开关 电压 - 集电极发射极击穿(最大):650...
MITA10WB1200TMH IXYS MiniPack2 MODULE IGBT CBI IGBT 类型:沟道 配置:三相反相器,带制动器 电压 - 集电极发射极击穿(最...
MITA15WB1200TMH IXYS MiniPack2 MODULE IGBT CBI IGBT 类型:沟道 配置:三相反相器,带制动器 电压 - 集电极发射极击穿(最...
MITA30WB600TMH IXYS MiniPack2 IGBT MODULE CBI MINIPACK2 IGBT 类型:NPT 配置:- 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1600V...
MITB10WB1200TMH IXYS MiniPack2 MODULE IGBT CBI IGBT 类型:沟道 配置:三相反相器,带制动器 电压 - 集电极发射极击穿(最...
MITB15WB1200TMH IXYS MiniPack2 MODULE IGBT CBI IGBT 类型:沟道 配置:三相反相器,带制动器 电压 - 集电极发射极击穿(最...
MKI100-12E8 IXYS E3 MOD IGBT H-BRIDGE 1200V 165A E3 IGBT 类型:NPT 配置:全桥反相器 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1...
MKI100-12F8 IXYS E3 MOD IGBT H-BRIDGE 1200V 125A E3 IGBT 类型:NPT 配置:全桥反相器 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1...

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