| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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ALD111933PAL |
Advanced Linear Devices Inc | 8-DIP（0.300"，7.62mm） | 46 | 询价QQ： |
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| 简述：MOSFET 2N-CH 10.6V 8PDIP 参考包装数量：50 参考包装形式：管件 |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| ALD111933SAL | Advanced Linear Devices Inc | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 100 | MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC | FET 型：2 N 沟道（双）配对 FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss... |
| ALD112 | Panasonic Electric Works | 14573 | RELAY GEN PURPOSE SPST 3A 12V | ... | |
| ALD114804APCL | Advanced Linear Devices Inc | 16-DIP（0.300"，7.62mm） | 25 | MOSFET N-CH 10.6V QUAD 16PDIP | FET 型：4 N 沟道，配对 FET 特点：耗尽模式 漏极至源极电压(Vdss... |
| ALD111933MAL | Advanced Linear Devices Inc | 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） | 48 | MOSFET 2N-CH 10.6V 8MSOP | FET 型：2 N 沟道（双）配对 FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss... |
| ALD1117SAL | Advanced Linear Devices Inc | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 52 | MOSFET 2P-CH 13.2V 2MA 8SOIC | FET 型：2 P 沟道（双）配对 FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss... |
| ALD1117PAL | Advanced Linear Devices Inc | 8-DIP（0.300"，7.62mm） | 157 | MOSFET 2P-CH 13.2V 2MA 8PDIP | FET 型：2 P 沟道（双）配对 FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss... |
