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ALD111933SAL

Advanced Linear Devices Inc 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 100
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简述:MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC
参考包装数量:50
参考包装形式:管件

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ALD111933SAL参数资料

PDF资料下载:

FET 型:2 N 沟道(双)配对
FET 特点:标准
漏极至源极电压(Vdss):10.6V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:6.9mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:500 欧姆 @ 5.9V
Id 时的 Vgs(th)(最大):3.35V @ 1µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:-
输入电容 (Ciss) @ Vds:-
功率 - 最大:500mW
安装类型:表面贴装

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