| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
|---|---|---|---|---|---|
ALD114904PAL |
Advanced Linear Devices Inc | 8-DIP（0.300"，7.62mm） | 32 | 询价QQ： |
|
| 简述：MOSFET N-CH 10.6V DUAL 8PDIP 参考包装数量：50 参考包装形式：管件 |
|||||
| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
|---|---|---|---|---|---|
| ALD114904SAL | Advanced Linear Devices Inc | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 32 | MOSFET N-CH 10.6V DUAL 8SOIC | FET 型：2 N 沟道（双）配对 FET 特点：耗尽模式 漏极至源极电压(Vd... |
| ALD114913PAL | Advanced Linear Devices Inc | 8-DIP（0.300"，7.62mm） | 91 | MOSFET N-CH 10.6V DUAL 8PDIP | FET 型：2 N 沟道（双）配对 FET 特点：耗尽模式 漏极至源极电压(Vd... |
| ALD114913SAL | Advanced Linear Devices Inc | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 15 | MOSFET N-CH 10.6V DUAL 8SOIC | FET 型：2 N 沟道（双）配对 FET 特点：耗尽模式 漏极至源极电压(Vd... |
| ALD114904ASAL | Advanced Linear Devices Inc | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 90 | MOSFET N-CH 10.6V DUAL 8SOIC | FET 型：2 N 沟道（双）配对 FET 特点：耗尽模式 漏极至源极电压(Vd... |
| ALD114904APAL | Advanced Linear Devices Inc | 8-DIP（0.300"，7.62mm） | 68 | MOSFET N-CH 10.6V DUAL 8PDIP | FET 型：2 N 沟道（双）配对 FET 特点：耗尽模式 漏极至源极电压(Vd... |
| ALD114835SCL | Advanced Linear Devices Inc | 16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET N-CH 10.6V QUAD 16SOIC | FET 型：4 N 沟道，配对 FET 特点：耗尽模式 漏极至源极电压(Vdss... |
