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ALD114913PAL

Advanced Linear Devices Inc 8-DIP(0.300",7.62mm) 91
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简述:MOSFET N-CH 10.6V DUAL 8PDIP
参考包装数量:50
参考包装形式:管件

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ALD114913PAL参数资料

PDF资料下载:

FET 型:2 N 沟道(双)配对
FET 特点:耗尽模式
漏极至源极电压(Vdss):10.6V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:12mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:500 欧姆 @ 2.7V
Id 时的 Vgs(th)(最大):1.26V @ 1µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:-
输入电容 (Ciss) @ Vds:-
功率 - 最大:500mW
安装类型:通孔

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