| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
|---|---|---|---|---|---|
ALD114935PAL |
Advanced Linear Devices Inc | 8-DIP（0.300"，7.62mm） | 78 | 询价QQ： |
|
| 简述：MOSFET N-CH 10.6V DUAL 8PDIP 参考包装数量：50 参考包装形式：管件 |
|||||
| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
|---|---|---|---|---|---|
| ALD114935SAL | Advanced Linear Devices Inc | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 72 | MOSFET N-CH 10.6V DUAL 8SOIC | FET 型：2 N 沟道（双）配对 FET 特点：耗尽模式 漏极至源极电压(Vd... |
| ALD118 | Panasonic Electric Works | 106 | RELAY GEN PURPOSE SPST 3A 18V | ... | |
| ALD11G48-6L | Emerson Network Power | 8-DIP 模块，1/16 砖 | 449 | CONV DC/DC 27.5W 36-75VIN 11A | 类型：隔离 输出数：1 电压 - 输入（最小）：36V 电压 - 输入（最大）：... |
| ALD114913SAL | Advanced Linear Devices Inc | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 15 | MOSFET N-CH 10.6V DUAL 8SOIC | FET 型：2 N 沟道（双）配对 FET 特点：耗尽模式 漏极至源极电压(Vd... |
| ALD114913PAL | Advanced Linear Devices Inc | 8-DIP（0.300"，7.62mm） | 91 | MOSFET N-CH 10.6V DUAL 8PDIP | FET 型：2 N 沟道（双）配对 FET 特点：耗尽模式 漏极至源极电压(Vd... |
| ALD114904SAL | Advanced Linear Devices Inc | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 32 | MOSFET N-CH 10.6V DUAL 8SOIC | FET 型：2 N 沟道（双）配对 FET 特点：耗尽模式 漏极至源极电压(Vd... |
