收藏本站

首页 > 分离式半导体产品 > FET - 阵列 > AON5802B
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

AON5802B

Alpha & Omega Semiconductor Inc 6-WFDFN 裸露焊盘
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 30V 7.2A DFN2X5
参考包装数量:5000
参考包装形式:带卷 (TR)

与AON5802B相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
AON5810 Alpha & Omega Semiconductor Inc 6-WFDFN 裸露焊盘 MOSFET 2N-CH 20V 7.7A DFN2X5 FET 型:2 N 沟道(双)共漏 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
AON5820 Alpha & Omega Semiconductor Inc 8-WFDFN 裸露焊盘 MOSFET 2N-CH 20V 10A DFN2X5 FET 型:2 N 沟道(双)共漏 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
AON6200L Alpha & Omega Semiconductor Inc 8-VDFN 裸露焊盘 MOSFET N CH 30V 24A DFN5X6 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
AON5802A Alpha & Omega Semiconductor Inc 6-SMD,扁平引线裸焊盘 MOSFET DUAL N-CH 30V 7.2A 6-DFN FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
AON4807 Alpha & Omega Semiconductor Inc 8-SMD,扁平引线裸焊盘 MOSFET P-CH 30V 4A 8DFN FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
AON4803 Alpha & Omega Semiconductor Inc 8-WDFN MOSFET 2P-CH 20V 3.4A DFN3X2 FET 型:2 个 P 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...

AON5802B参数资料

PDF资料下载:

FET 型:2 N 沟道(双)共漏
FET 特点:逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:7.2A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:19 毫欧 @ 7A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大):1.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:24nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:1150pF @ 15V
功率 - 最大:1.6W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别