收藏本站

首页 > 分离式半导体产品 > FET - 阵列 > AON5810
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

AON5810

Alpha & Omega Semiconductor Inc 6-WFDFN 裸露焊盘
询价QQ:
简述:MOSFET 2N-CH 20V 7.7A DFN2X5
参考包装数量:5000
参考包装形式:带卷 (TR)

与AON5810相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
AON5820 Alpha & Omega Semiconductor Inc 8-WFDFN 裸露焊盘 MOSFET 2N-CH 20V 10A DFN2X5 FET 型:2 N 沟道(双)共漏 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
AON6200L Alpha & Omega Semiconductor Inc 8-VDFN 裸露焊盘 MOSFET N CH 30V 24A DFN5X6 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
AON6202 Alpha & Omega Semiconductor Inc 8-VDFN 裸露焊盘 MOSFET N CH 30V 24A DFN5X6 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
AON5802B Alpha & Omega Semiconductor Inc 6-WFDFN 裸露焊盘 MOSFET N-CH 30V 7.2A DFN2X5 FET 型:2 N 沟道(双)共漏 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
AON5802A Alpha & Omega Semiconductor Inc 6-SMD,扁平引线裸焊盘 MOSFET DUAL N-CH 30V 7.2A 6-DFN FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
AON4807 Alpha & Omega Semiconductor Inc 8-SMD,扁平引线裸焊盘 MOSFET P-CH 30V 4A 8DFN FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

AON5810参数资料

PDF资料下载:

FET 型:2 N 沟道(双)共漏
FET 特点:逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:7.7A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:18 毫欧 @ 7.7A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大):1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:13.1nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds:1360pF @ 10V
功率 - 最大:1.6W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别