收藏本站

首页 > 分离式半导体产品 > FET - 阵列 > BSO207P
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

BSO207P

Infineon Technologies 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
询价QQ:
简述:MOSFET DUAL P-CH 20V 5.7A 8-SOIC
参考包装数量:2500
参考包装形式:带卷 (TR)

与BSO207P相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
BSO207PH Infineon Technologies 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 2500 MOSFET 2P-CH 20V 5A DSO-8 FET 型:2 个 P 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
BSO211P Infineon Technologies 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET DUAL P-CH 20V 4.7A 8-SOIC FET 型:2 个 P 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
BSO215C Infineon Technologies 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N+P 20V 3.7A 8-SOIC FET 型:N 和 P 沟道 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss...
BSO204P Infineon Technologies 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET DUAL P-CH 20V 7A 8-SOIC FET 型:2 个 P 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
BSO203SPH Infineon Technologies 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 2500 MOSFET P-CH 20V 7A DSO-8 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
BSO203SP Infineon Technologies 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET P-CH 20V 9A 8-SOIC FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

BSO207P参数资料

PDF资料下载:
PDF资料下载:

FET 型:2 个 P 沟道(双)
FET 特点:逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:5.7A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:45 毫欧 @ 5.7A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大):1.2V @ 40µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:23.4nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds:1013pF @ 15V
功率 - 最大:2W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别