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BSO215C

Infineon Technologies 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
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简述:MOSFET N+P 20V 3.7A 8-SOIC
参考包装数量:2500
参考包装形式:带卷 (TR)

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BSO215C参数资料

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FET 型:N 和 P 沟道
FET 特点:逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3.7A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:100 毫欧 @ 3.7A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大):2V @ 10µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:11.5nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:246pF @ 25V
功率 - 最大:2W
安装类型:表面贴装

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