收藏本站

首页 > 分离式半导体产品 > FET - 阵列 > PHKD13N03LT,118
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

PHKD13N03LT,118

NXP Semiconductors 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH TRENCH DL 30V 8SOIC
参考包装数量:2500
参考包装形式:带卷 (TR)

与PHKD13N03LT,118相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
PHKD13N03LT,518 NXP Semiconductors 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH TRENCH DL 30V 8-SOIC FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
PHKD3NQ10T,518 NXP Semiconductors 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET 2N-CH 100V 3A 8SOIC FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
PHKD6N02LT,518 NXP Semiconductors 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH 20V 10.9A SOT96-1 FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
PHK5NQ15T,518 NXP Semiconductors 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH 150V 5A SOT96-1 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
PHK4NQ20T,518 NXP Semiconductors 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH 200V 4A SOT96-1 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
PHK4NQ10T,518 NXP Semiconductors 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH 100V 4A SOT96-1 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

PHKD13N03LT,118参数资料

PDF资料下载:

FET 型:2 个 N 沟道(双)
FET 特点:逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:10.4A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:20 毫欧 @ 8A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大):2V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:10.7nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds:752pF @ 15V
功率 - 最大:3.57W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别