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PHKD6N02LT,518

NXP Semiconductors 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
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简述:MOSFET N-CH 20V 10.9A SOT96-1
参考包装数量:2500
参考包装形式:带卷 (TR)

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PHKD6N02LT,518参数资料

PDF资料下载:

FET 型:2 个 N 沟道(双)
FET 特点:逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:10.9A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:20 毫欧 @ 3A,5V
Id 时的 Vgs(th)(最大):1.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:15.3nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds:950pF @ 10V
功率 - 最大:4.17W
安装类型:表面贴装

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