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PHKD3NQ10T,518

NXP Semiconductors 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
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简述:MOSFET 2N-CH 100V 3A 8SOIC
参考包装数量:2500
参考包装形式:带卷 (TR)

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型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
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PHKD3NQ10T,518参数资料

PDF资料下载:

FET 型:2 个 N 沟道(双)
FET 特点:逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:90 毫欧 @ 1.5A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs:21nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:633pF @ 20V
功率 - 最大:2W
安装类型:表面贴装

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