| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 参数 | PDF资料 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| TPCC8066-H,LQ(S | Toshiba | 8-VDFN 裸露焊盘 | MOSFET N-CH 30V 11A 8TSON-ADV | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | ||
| TPCC8067-H,LQ(S | Toshiba | 8-VDFN 裸露焊盘 | MOSFET N-CH 30V 9A 8TSON-ADV | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | ||
| TPCC8073,LQ(O | Toshiba | 8-VDFN 裸露焊盘 | MOSFET N-CH 30V 27A 8TSON-ADV | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | ||
| TPCC8074,LQ(O | Toshiba | 8-VDFN 裸露焊盘 | MOSFET N-CH 30V 20A 8TSON-ADV | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | ||
| TPCC8076,LQ(O | Toshiba | 8-VDFN 裸露焊盘 | MOSFET N-CH 33V 27A 8TSON-ADV | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | ||
| TPCC8084,LQ(O | Toshiba | 8-VDFN 裸露焊盘 | MOSFET N-CH 33V 21A 8TSON-ADV | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | ||
| TPCC8103(TE12L,Q) | Toshiba | 8-VDFN 裸露焊盘 | MOSFET P-CH 30V 18A 8TSON-ADV | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | ||
| TPCC8103(TE12L,QM) | Toshiba | 8-VDFN 裸露焊盘 | 3000 | MOSFET P-CH 30V 18A 8TSON | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| TPCC8104,LQ(O | Toshiba | 8-VDFN 裸露焊盘 | MOSFET P-CH 30V 20A 8TSON-ADV | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | ||
| TPCC8105,LQ(O | Toshiba | 8-VDFN 裸露焊盘 | MOSFET P-CH 30V 23A 8TSON-ADV | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | ||
| TPCC8A01-H(TE12LQM | Toshiba | 8-VDFN 裸露焊盘 | 3000 | MOSFET N-CH 30V 21A SBD 8TSON | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| TT8U1TR | Rohm Semiconductor | 8-TSST | 8745 | MOSFET P-CH 20V 2.4A TSST8 | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：二极管（隔离式）... | |
| TPS1101PWRG4 | Texas Instruments | 16-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） | MOSFET P-CH 15V 2.18A 16-TSSOP | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | ||
| TPS1101PWR | Texas Instruments | 16-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） | MOSFET P-CH 15V 2.18A 16-TSSOP | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | ||
| TPS1101DRG4 | Texas Instruments | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 0+25000 | MOSFET P-CH 15V 2.3A 8-SOIC | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| TPS1101DR | Texas Instruments | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 0+25000 | MOSFET P-CH 15V 2.3A 8-SOIC | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| TPS1101DG4 | Texas Instruments | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 0+11700 | MOSFET P-CH 15V 2.3A 8-SOIC | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| TPS1101D | Texas Instruments | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 216 | MOSFET P-CH 15V 2.3A 8-SOIC | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| TPS1100PWRG4 | Texas Instruments | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） | 0+18000 | MOSFET P-CH 15V 1.27A 8-TSSOP | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| TPS1100PWR | Texas Instruments | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） | 1892+18000 | MOSFET P-CH 15V 1.27A 8-TSSOP | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
