| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 参数 | PDF资料 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| TPCS8009-H(TE12L,Q | Toshiba | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） | MOSFET N-CH 150V 2.1A 8TSSOP | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | ||
| TPCS8102(TE12L) | Toshiba | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） | MOSFET P-CH 20V 6A 8-TSSOP | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | ||
| TPCS8102(TE12L,Q) | Toshiba | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） | MOSFET P-CH SGL -20V -6A TSSOP-8 | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | ||
| TPCS8104(TE12L,Q) | Toshiba | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） | MOSFET P-CH 30V 11A 8TSSOP | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | ||
| TPCS8105(TE12L,Q,M | Toshiba | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） | MOSFET P-CH 30V 10A 8TSSOP | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | ||
| TPH14006NH,L1Q | Toshiba | 8-PowerVDFN | 5000 | MOSFET N CH 60V 14A 8-SOP ADV | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| TPH4R606NH,L1Q | Toshiba | 8-PowerVDFN | 9860 | MOSFET N CH 60V 32A 8-SOP ADV | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| TPH5R906NH,L1Q | Toshiba | 8-PowerVDFN | 5000 | MOSFET N CH 60V 28A 8-SOP ADV | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| TPH7R506NH,L1Q | Toshiba | 8-PowerVDFN | 10000 | MOSFET N CH 60V 22A 8-SOP ADV | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| TPS1100D | Texas Instruments | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 367 | MOSFET P-CH 15V 1.6A 8-SOIC | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| TPS1100DG4 | Texas Instruments | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 0+14025 | MOSFET P-CH 15V 1.6A 8-SOIC | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| TPS1100DR | Texas Instruments | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 0+32500 | MOSFET P-CH 15V 1.6A 8-SOIC | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| TPS1100DRG4 | Texas Instruments | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 0+32500 | MOSFET P-CH 15V 1.6A 8-SOIC | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| TPS1100PW | Texas Instruments | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） | 0+4500 | MOSFET P-CH 15V 1.27A 8-TSSOP | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| TPS1100PWG4 | Texas Instruments | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） | 0+4500 | MOSFET P-CH 15V 1.27A 8-TSSOP | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| TPS1100PWR | Texas Instruments | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） | 1892+18000 | MOSFET P-CH 15V 1.27A 8-TSSOP | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| TPS1100PWRG4 | Texas Instruments | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） | 0+18000 | MOSFET P-CH 15V 1.27A 8-TSSOP | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| TPS1101D | Texas Instruments | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 216 | MOSFET P-CH 15V 2.3A 8-SOIC | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| TPS1101DG4 | Texas Instruments | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 0+11700 | MOSFET P-CH 15V 2.3A 8-SOIC | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| TPS1101DR | Texas Instruments | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 0+25000 | MOSFET P-CH 15V 2.3A 8-SOIC | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
