| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 参数 | PDF资料 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| ALD1101APAL | Advanced Linear Devices Inc | 8-DIP（0.300"，7.62mm） | 82 | MOSFET 2N-CH 13.2V 40MA 8PDIP | FET 型：2 N 沟道（双）配对 FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss... | |
| ALD1101ASAL | Advanced Linear Devices Inc | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 81 | MOSFET 2N-CH 13.2V 40MA 8SOIC | FET 型：2 N 沟道（双）配对 FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss... | |
| ALD1101BPAL | Advanced Linear Devices Inc | 8-DIP（0.300"，7.62mm） | MOSFET 2N-CH 13.2V 40MA 8PDIP | FET 型：2 N 沟道（双）配对 FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss... | ||
| ALD1101PAL | Advanced Linear Devices Inc | 8-DIP（0.300"，7.62mm） | 67 | MOSFET 2N-CH 13.2V 40MA 8PDIP | FET 型：2 N 沟道（双）配对 FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss... | |
| ALD1101SAL | Advanced Linear Devices Inc | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 87 | MOSFET 2N-CH 13.2V 40MA 8SOIC | FET 型：2 N 沟道（双）配对 FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss... | |
| ALD1102APAL | Advanced Linear Devices Inc | 8-DIP（0.300"，7.62mm） | 96 | MOSFET 2P-CH 13.2V 16MA 8PDIP | FET 型：2 P 沟道（双）配对 FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss... | |
| ALD1102ASAL | Advanced Linear Devices Inc | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 176 | MOSFET 2P-CH 13.2V 16MA 8SOIC | FET 型：2 P 沟道（双）配对 FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss... | |
| ALD1102BPAL | Advanced Linear Devices Inc | 8-DIP（0.300"，7.62mm） | MOSFET 2P-CH 13.2V 16MA 8PDIP | FET 型：2 P 沟道（双）配对 FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss... | ||
| ALD1102PAL | Advanced Linear Devices Inc | 8-DIP（0.300"，7.62mm） | 103 | MOSFET 2P-CH 13.2V 16MA 8PDIP | FET 型：2 P 沟道（双）配对 FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss... | |
| ALD1102SAL | Advanced Linear Devices Inc | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 47 | MOSFET 2P-CH 13.2V 16MA 8SOIC | FET 型：2 P 沟道（双）配对 FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss... | |
| ALD1103PBL | Advanced Linear Devices Inc | 14-DIP（0.300"，7.62mm） | 101 | MOSFET 2N+2P 13.2V 14PDIP | FET 型：2 N 和 2 P 沟道（双）配对 FET 特点：标准 漏极至源极电... | |
| ALD1103SBL | Advanced Linear Devices Inc | 14-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 14 | MOSFET 2N+2P 13.2V 14-SOIC | FET 型：2 N 和 2 P 沟道（双）配对 FET 特点：标准 漏极至源极电... | |
| ALD1105PBL | Advanced Linear Devices Inc | 14-DIP（0.300"，7.62mm） | 34 | MOSFET 2N+2P 13.2V 14PDIP | FET 型：2 N 和 2 P 沟道（双）配对 FET 特点：标准 漏极至源极电... | |
| ALD1105SBL | Advanced Linear Devices Inc | 14-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 62 | MOSFET 2N+2P 13.2V 14-SOIC | FET 型：2 N 和 2 P 沟道（双）配对 FET 特点：标准 漏极至源极电... | |
| ALD1106PBL | Advanced Linear Devices Inc | 14-DIP（0.300"，7.62mm） | 576 | MOSFET 4N-CH 13.2V QUAD 14PDIP | FET 型：4 N 沟道，配对 FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss)：... | |
| ALD1106SBL | Advanced Linear Devices Inc | 14-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 233 | MOSFET 4N-CH 13.2V QUAD 14SOIC | FET 型：4 N 沟道，配对 FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss)：... | |
| ALD1107PBL | Advanced Linear Devices Inc | 14-DIP（0.300"，7.62mm） | 521 | MOSFET 4P-CH 13.2V QUAD 14PDIP | FET 型：4 P 沟道，配对 FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss)：... | |
| ALD1107SBL | Advanced Linear Devices Inc | 14-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 116 | MOSFET 4P-CH 13.2V QUAD 14SOIC | FET 型：4 P 沟道，配对 FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss)：... | |
| ALD110800APCL | Advanced Linear Devices Inc | 16-DIP（0.300"，7.62mm） | 20 | MOSFET N-CH 10.6V QUAD 16PDIP | FET 型：4 N 沟道，配对 FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss)：... | |
| ALD110800ASCL | Advanced Linear Devices Inc | 16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 15 | MOSFET N-CH 10.6V QUAD 16SOIC | FET 型：4 N 沟道，配对 FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss)：... |
