| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 参数 | PDF资料 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| ALD110800PCL | Advanced Linear Devices Inc | 16-DIP（0.300"，7.62mm） | 9 | MOSFET N-CH 10.6V QUAD 16PDIP | FET 型：4 N 沟道，配对 FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss)：... | |
| ALD110800SCL | Advanced Linear Devices Inc | 16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 37 | MOSFET N-CH 10.6V QUAD 16SOIC | FET 型：4 N 沟道，配对 FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss)：... | |
| ALD110802PCL | Advanced Linear Devices Inc | 16-DIP（0.300"，7.62mm） | 15 | MOSFET N-CH 10.6V QUAD 16PDIP | FET 型：4 N 沟道，配对 FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss)：... | |
| ALD110802SCL | Advanced Linear Devices Inc | 16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 81 | MOSFET N-CH 10.6V QUAD 16SOIC | FET 型：4 N 沟道，配对 FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss)：... | |
| ALD110804PCL | Advanced Linear Devices Inc | 16-DIP（0.300"，7.62mm） | 15 | MOSFET N-CH 10.6V QUAD 16PDIP | FET 型：4 N 沟道，配对 FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss)：... | |
| ALD110804SCL | Advanced Linear Devices Inc | 16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 82 | MOSFET N-CH 10.6V QUAD 16SOIC | FET 型：4 N 沟道，配对 FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss)：... | |
| ALD110808APCL | Advanced Linear Devices Inc | 16-DIP（0.300"，7.62mm） | 40 | MOSFET N-CH 10.6V QUAD 16PDIP | FET 型：4 N 沟道，配对 FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss)：... | |
| ALD110808ASCL | Advanced Linear Devices Inc | 16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 96 | MOSFET N-CH 10.6V QUAD 16SOIC | FET 型：4 N 沟道，配对 FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss)：... | |
| ALD110808PCL | Advanced Linear Devices Inc | 16-DIP（0.300"，7.62mm） | 20 | MOSFET N-CH 10.6V QUAD 16PDIP | FET 型：4 N 沟道，配对 FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss)：... | |
| ALD110808SCL | Advanced Linear Devices Inc | 16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 67 | MOSFET N-CH 10.6V QUAD 16SOIC | FET 型：4 N 沟道，配对 FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss)：... | |
| ALD110814PCL | Advanced Linear Devices Inc | 16-DIP（0.300"，7.62mm） | 39 | MOSFET N-CH 10.6V QUAD 16PDIP | FET 型：4 N 沟道，配对 FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss)：... | |
| ALD110814SCL | Advanced Linear Devices Inc | 16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 88 | MOSFET N-CH 10.6V QUAD 16SOIC | FET 型：4 N 沟道，配对 FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss)：... | |
| ALD1108EPCL | Advanced Linear Devices Inc | 16-DIP（0.300"，7.62mm） | MOSFET N-CH ADJ QUAD 16PDIP | FET 型：4 N 沟道，配对 FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss)：... | ||
| ALD1108ESCL | Advanced Linear Devices Inc | 16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET N-CH ADJ QUAD 16SOIC | FET 型：4 N 沟道，配对 FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss)：... | ||
| ALD110900APAL | Advanced Linear Devices Inc | 8-DIP（0.300"，7.62mm） | 23 | MOSFET N-CH 10.6V DUAL 8PDIP | FET 型：2 N 沟道（双）配对 FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss... | |
| ALD110900ASAL | Advanced Linear Devices Inc | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 44 | MOSFET N-CH 10.6V DUAL 8SOIC | FET 型：2 N 沟道（双）配对 FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss... | |
| ALD110900PAL | Advanced Linear Devices Inc | 8-DIP（0.300"，7.62mm） | 41 | MOSFET N-CH 10.6V DUAL 8PDIP | FET 型：2 N 沟道（双）配对 FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss... | |
| ALD110900SAL | Advanced Linear Devices Inc | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 45 | MOSFET N-CH 10.6V DUAL 8SOIC | FET 型：2 N 沟道（双）配对 FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss... | |
| ALD110902PAL | Advanced Linear Devices Inc | 8-DIP（0.300"，7.62mm） | 111 | MOSFET N-CH 10.6V DUAL 8PDIP | FET 型：2 N 沟道（双）配对 FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss... | |
| ALD110902SAL | Advanced Linear Devices Inc | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 50 | MOSFET N-CH 10.6V DUAL 8SOIC | FET 型：2 N 沟道（双）配对 FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss... |
