| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 参数 | PDF资料 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| ALD114804APCL | Advanced Linear Devices Inc | 16-DIP（0.300"，7.62mm） | 25 | MOSFET N-CH 10.6V QUAD 16PDIP | FET 型：4 N 沟道，配对 FET 特点：耗尽模式 漏极至源极电压(Vdss... | |
| ALD114804ASCL | Advanced Linear Devices Inc | 16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 96 | MOSFET N-CH 10.6V QUAD 16SOIC | FET 型：4 N 沟道，配对 FET 特点：耗尽模式 漏极至源极电压(Vdss... | |
| ALD114804PCL | Advanced Linear Devices Inc | 16-DIP（0.300"，7.62mm） | 25 | MOSFET N-CH 10.6V QUAD 16PDIP | FET 型：4 N 沟道，配对 FET 特点：耗尽模式 漏极至源极电压(Vdss... | |
| ALD114804SCL | Advanced Linear Devices Inc | 16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 81 | MOSFET N-CH 10.6V QUAD 16SOIC | FET 型：4 N 沟道，配对 FET 特点：耗尽模式 漏极至源极电压(Vdss... | |
| ALD114813PCL | Advanced Linear Devices Inc | 16-DIP（0.300"，7.62mm） | 36 | MOSFET N-CH 10.6V QUAD 16PDIP | FET 型：4 N 沟道，配对 FET 特点：耗尽模式 漏极至源极电压(Vdss... | |
| ALD114813SCL | Advanced Linear Devices Inc | 16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 86 | MOSFET N-CH 10.6V QUAD 16SOIC | FET 型：4 N 沟道，配对 FET 特点：耗尽模式 漏极至源极电压(Vdss... | |
| ALD114835PCL | Advanced Linear Devices Inc | 16-DIP（0.300"，7.62mm） | 41 | MOSFET N-CH 10.6V QUAD 16PDIP | FET 型：4 N 沟道，配对 FET 特点：耗尽模式 漏极至源极电压(Vdss... | |
| ALD114835SCL | Advanced Linear Devices Inc | 16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET N-CH 10.6V QUAD 16SOIC | FET 型：4 N 沟道，配对 FET 特点：耗尽模式 漏极至源极电压(Vdss... | ||
| ALD114904APAL | Advanced Linear Devices Inc | 8-DIP（0.300"，7.62mm） | 68 | MOSFET N-CH 10.6V DUAL 8PDIP | FET 型：2 N 沟道（双）配对 FET 特点：耗尽模式 漏极至源极电压(Vd... | |
| ALD114904ASAL | Advanced Linear Devices Inc | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 90 | MOSFET N-CH 10.6V DUAL 8SOIC | FET 型：2 N 沟道（双）配对 FET 特点：耗尽模式 漏极至源极电压(Vd... | |
| ALD114904PAL | Advanced Linear Devices Inc | 8-DIP（0.300"，7.62mm） | 32 | MOSFET N-CH 10.6V DUAL 8PDIP | FET 型：2 N 沟道（双）配对 FET 特点：耗尽模式 漏极至源极电压(Vd... | |
| ALD114904SAL | Advanced Linear Devices Inc | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 32 | MOSFET N-CH 10.6V DUAL 8SOIC | FET 型：2 N 沟道（双）配对 FET 特点：耗尽模式 漏极至源极电压(Vd... | |
| ALD114913PAL | Advanced Linear Devices Inc | 8-DIP（0.300"，7.62mm） | 91 | MOSFET N-CH 10.6V DUAL 8PDIP | FET 型：2 N 沟道（双）配对 FET 特点：耗尽模式 漏极至源极电压(Vd... | |
| ALD114913SAL | Advanced Linear Devices Inc | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 15 | MOSFET N-CH 10.6V DUAL 8SOIC | FET 型：2 N 沟道（双）配对 FET 特点：耗尽模式 漏极至源极电压(Vd... | |
| ALD114935PAL | Advanced Linear Devices Inc | 8-DIP（0.300"，7.62mm） | 78 | MOSFET N-CH 10.6V DUAL 8PDIP | FET 型：2 N 沟道（双）配对 FET 特点：耗尽模式 漏极至源极电压(Vd... | |
| ALD114935SAL | Advanced Linear Devices Inc | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 72 | MOSFET N-CH 10.6V DUAL 8SOIC | FET 型：2 N 沟道（双）配对 FET 特点：耗尽模式 漏极至源极电压(Vd... | |
| AO4611 | Alpha & Omega Semiconductor Inc | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 15000 | MOSFET N+P 60V 6.3A/4.9A 8SOIC | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | |
| AO4612 | Alpha & Omega Semiconductor Inc | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 9000 | MOSFET N/P-CH COMPL 60V 8-SOIC | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | |
| AO4613 | Alpha & Omega Semiconductor Inc | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET N/P-CH 30V 7.2/6.1A 8SOIC | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | ||
| AO4614A | Alpha & Omega Semiconductor Inc | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET N/P-CH COMPL 40V 8-SOIC | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... |
