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首页 > 元器件分类 > 分离式半导体产品 > FET - 阵列 D开头
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型号 品牌 封装 数量 描述 参数 PDF资料
DMP2004VK-7 Diodes Inc SOT-563,SOT-666 24000 MOSFET P-CH DUAL 530MA SOT-563 FET 型:2 个 P 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
DMP2035UTS-13 Diodes Inc 8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) 5000 MOSFET 2P-CH 20V 6.04A 8TSSOP FET 型:2 个 P 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
DMP2066LSD-13 Diodes Inc 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 2500 MOSFET P-CH DUAL 20V 5.8A 8-SOIC FET 型:2 个 P 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
DMP2100UCB9-7 Diodes Inc 9-UFBGA,WLBGA 3000 MOSFET P CH 20V 3A U-WLB1515-9 FET 型:2 P 沟道(双)共源 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
DMP2240UDM-7 Diodes Inc SOT-23-6 10724 MOSFET P-CH DUAL 20V 2A SOT-26 FET 型:2 个 P 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
DMP3056LSD-13 Diodes Inc 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET P-CH 30V 6.9A 8-SOIC FET 型:2 个 P 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
DMP3098LSD-13 Diodes Inc 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET P-CH 30V 4.4A 8-SOIC FET 型:2 个 P 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
DMP57D5UV-7 Diodes Inc SOT-563,SOT-666 6000 MOSFET P-CH DUAL 50V SOT563 FET 型:2 个 P 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
DMP58D0SV-7 Diodes Inc SOT-563,SOT-666 3000 MOSFET P-CH 50V 160MA SOT-563 FET 型:2 个 P 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
DMS3017SSD-13 Diodes Inc 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 2500 MOSFET 2N-CH 30V 8A/6A SO8 FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
DMS3019SSD-13 Diodes Inc 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 4984 MOSFET 2N-CH 30V 7A/5.7A SO8 FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...

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