型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 参数 | PDF资料 |
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PMWD15UN,518 | NXP Semiconductors | 8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) | MOSFET N-CH TRENCH DL 20V 8TSSOP | FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
PMWD16UN,518 | NXP Semiconductors | 8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) | MOSFET N-CH TRENCH DL 20V 8TSSOP | FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
PMWD19UN,518 | NXP Semiconductors | 8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) | MOSFET N-CH TRENCH DL 30V 8TSSOP | FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
PMWD20XN,118 | NXP Semiconductors | 8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) | MOSFET N-CH TRENCH DL 20V 8TSSOP | FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
PMWD26UN,518 | NXP Semiconductors | 8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) | MOSFET N-CH TRENCH DL 20V 8TSSOP | FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
PMWD30UN,518 | NXP Semiconductors | 8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) | MOSFET N-CH TRENCH DL 30V 8TSSOP | FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V... |