| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 参数 | PDF资料 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| SI6969BDQ-T1-E3 | Vishay Siliconix | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） | MOSFET P-CH DUAL 12V 4.0A 8TSSOP | FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| SI6969BDQ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） | MOSFET P-CH DUAL G-S 12V 8TSSOP | FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| SI6969DQ-T1-E3 | Vishay Siliconix | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） | MOSFET P-CH DUAL G-S 12V 8TSSOP | FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| SI6969DQ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） | MOSFET P-CH DUAL G-S 12V 8TSSOP | FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| SI6973DQ-T1-E3 | Vishay Siliconix | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） | MOSFET P-CH DUAL G-S 20V 8TSSOP | FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| SI6973DQ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） | MOSFET P-CH DUAL G-S 20V 8TSSOP | FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| SI6975DQ-T1-E3 | Vishay Siliconix | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） | MOSFET P-CH DUAL G-S 12V 8TSSOP | FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| SI6975DQ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） | MOSFET P-CH DUAL G-S 12V 8TSSOP | FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| SI6981DQ-T1-E3 | Vishay Siliconix | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） | 2537 | MOSFET P-CH DUAL 20V 8-TSSOP | FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| SI6981DQ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） | MOSFET P-CH D-S 20V 8-TSSOP | FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| SI6983DQ-T1-E3 | Vishay Siliconix | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） | MOSFET P-CH DUAL 20V 4.6A 8TSSOP | FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| SI6983DQ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） | MOSFET P-CH DUAL G-S 20V 8TSSOP | FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| SI6993DQ-T1-E3 | Vishay Siliconix | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） | 16084 | MOSFET P-CH DUAL 30V 3.6A 8TSSOP | FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| SI6993DQ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） | 2900 | MOSFET P-CH D-S 30V 8-TSSOP | FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| SI7212DN-T1-E3 | Vishay Siliconix | PowerPAK? 1212-8 双 | MOSFET DUAL N-CH 30V 1212-8 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| SI7212DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | PowerPAK? 1212-8 双 | 12000 | MOSFET N-CH D-S 30V 1212-8 PPAK | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| SI7214DN-T1-E3 | Vishay Siliconix | PowerPAK? 1212-8 双 | MOSFET DUAL N-CH 30V 1212-8 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| SI7214DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | PowerPAK? 1212-8 双 | MOSFET DUAL N-CH D-S 30V 1212-8 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| SI7216DN-T1-E3 | Vishay Siliconix | PowerPAK? 1212-8 双 | 18000 | MOSFET DUAL N-CH 40V 1212-8 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss... | |
| SI7216DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | PowerPAK? 1212-8 双 | 24000 | MOSFET DL N-CH 40V PPAK 1212-8 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss... |
